FQPF8N80C
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQPF8N80C |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 8A TO220F |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.89 |
10+ | $2.592 |
100+ | $2.0835 |
500+ | $1.7118 |
1000+ | $1.4184 |
2000+ | $1.3206 |
5000+ | $1.2716 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 59W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQPF8 |
FQPF8N80C Einzelheiten PDF [English] | FQPF8N80C PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
FAIRCHILD TO-220F
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FQPF8N80 FAIRCHILD
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQPF8N80Consemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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